设备用途 :
本系统为单室超高真空磁控溅射镀膜装置, 可用于开发单层及多层功能膜-各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等材料。
主要技术指标
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真空指标
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极限真空度:≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,40分钟可达到6.6x10-4 Pa;
停泵关机12小时后真空度:≤5Pa;
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真空室
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真空室为圆筒型前开门结构,壁挂防污板,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。
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磁控靶
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永磁靶Φ50mm\Φ75mm,(强磁可选),射频溅射与直流溅射兼容,靶内有水冷;单独挡板
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样品
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可放置最大Φ100mm基片,加热最高温度 600°C±1°C,直流负偏压-200V或射频偏压
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真空获得及测量
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分子泵+机械泵,数显复合真空计(皮拉尼规+电离规)
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配套电源
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直流电源、射频电源、直流脉冲电源
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气路
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三路进气,质量流量计控制
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控制系统
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手动或自动
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工作压力控制系统
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手动或自动
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石英晶振膜厚仪
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可选
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水冷机组
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可选
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进样室
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可选
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